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Smart Home Summit
Call for Papers!
Auf dem 2. Energie&Technik Smart Home & Metering Summit am 16. -17. Oktober 2012 in Ludwigsburg dreht sich alles um die Themen Smart Home, Smart Metering, Smart Grid.
Energy Harvesting
Energy Harvesting ist längst keine Zukunftsmusik mehr. Mehr dazu lesen Sie in unseren ausgewählten Artikeln:
M&T-Symposium
Call for Papers & Workshops!
Wie komme ich schnell von der Produktidee zum System?
Um diese Frage dreht sich das 1. Markt&Technik Symposium »Schneller Entwickeln« am 18. Oktober 2012 in München.
Special Supraleiter
Finden Supraleiter jetzt Anwendung in der Industrie? Erste Projekte gibt es bereits. Interessante Beispiele finden Sie hier!
Stromversorgung
Energiewende im Kleinformat
Wer die Energiewende will, darf nicht nur an die großen Energieerzeuger denken. Denn Milliarden elektronische Helferlein in Haus und Büro belasten die Stromrechnung.
Marktübersicht
Events Ultra Low Power
Call for Papers!
Am 10. Oktober 2012 veranstaltet das Fachmedium DESIGN&ELEKTRONIK die dritte Ausgabe des Entwicklerforums »Ultra Low Power – Niedrigstenergie-Elektronik entwickeln und versorgen« in München.
digital power congress
Auf dem 3. Elektronik digital power congress, am
4. und 5. Juli 2012 in München, dreht sich alles um digitales Powermanagement und die digitale Regelung von Leistungswandlern.
wireless power congress
Am 4.-5. Juli 2012 findet in München der 1. Elektronik wireless power congress statt. Das Programm konzentriert u.a. auf die Themen: Qi-Standard, Übertrager-, Koppler- und Antennendesign, Schaltungstechnik, Übertragungsverfahren und Kopplung, Datenübertragung und Authentifizierung und mehr.
Entwicklungshilfe
SiC-JFETs korrekt ansteuern
Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse von Leistungsschaltern, die ein wenig anders anzusteuern sind als Silizium-MOSFETs. Um Entwicklern die Scheu vor dieser neuen Technik zu nehmen, ist nun ein entsprechendes Demo-Board erschienen.
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Das Demo-Board eines Zweikanal-Gate-Treibers von SemiSouth soll Entwicklungskosten sparen und die Entwicklungszeit bei Stromversorgungsmodulen mit SiC-JFETs verkürzen. Das »SGDR2500P2« bietet opto-isolierte High-Side- und Low-Side-Ausgänge, die für Spitzenströme von +20 A und -10 A ausgelegt sind. Zusätzliche Trenntransformatoren sind überflüssig.
Das Board wurde für das schnelle, »harte« Schalten bestimmter Stromversorgungen - darunter das 1200-V/100-A-Halbbrückenmodul »APTJC120AM13VCT1AG« von Microsemi - optimiert, kann aber auch als zeitsparendes Evaluation-Board für Projekte in der Entwicklungs- oder Qualifizierungsphase dienen. Das SGDR2500P2 erzeugt selbst galvanisch getrennte ±15-V-Betriebsspannungen und macht dadurch zusätzliche Stromversorgungen überflüssig.
Es erlaubt Schaltfrequenzen bis zu 100 kHz, sodass Anwender die hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften der SiC-Technologie nutzen und kleinere, preisgünstigere Induktivitäten einsetzen können. Das Board erlaubt Tastverhältnisse zwischen 0% und 100%. Typische Anwendungen sind »hart« schaltende Brückentopologien, Wechselrichter und Wandler sowie Produktevaluierung. Die Funktionsweise wird ausführlich in dem Applikationsbericht AN-SS05 beschrieben.
Weiterführende Links:
