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Smart Home Summit
Call for Papers!
Auf dem 2. Energie&Technik Smart Home & Metering Summit am 16. -17. Oktober 2012 in Ludwigsburg dreht sich alles um die Themen Smart Home, Smart Metering, Smart Grid.
Energy Harvesting
Energy Harvesting ist längst keine Zukunftsmusik mehr. Mehr dazu lesen Sie in unseren ausgewählten Artikeln:
M&T-Symposium
Call for Papers & Workshops!
Wie komme ich schnell von der Produktidee zum System?
Um diese Frage dreht sich das 1. Markt&Technik Symposium »Schneller Entwickeln« am 18. Oktober 2012 in München.
Special Supraleiter
Finden Supraleiter jetzt Anwendung in der Industrie? Erste Projekte gibt es bereits. Interessante Beispiele finden Sie hier!
Stromversorgung
Energiewende im Kleinformat
Wer die Energiewende will, darf nicht nur an die großen Energieerzeuger denken. Denn Milliarden elektronische Helferlein in Haus und Büro belasten die Stromrechnung.
Marktübersicht
Events Ultra Low Power
Call for Papers!
Am 10. Oktober 2012 veranstaltet das Fachmedium DESIGN&ELEKTRONIK die dritte Ausgabe des Entwicklerforums »Ultra Low Power – Niedrigstenergie-Elektronik entwickeln und versorgen« in München.
digital power congress
Auf dem 3. Elektronik digital power congress, am
4. und 5. Juli 2012 in München, dreht sich alles um digitales Powermanagement und die digitale Regelung von Leistungswandlern.
wireless power congress
Am 4.-5. Juli 2012 findet in München der 1. Elektronik wireless power congress statt. Das Programm konzentriert u.a. auf die Themen: Qi-Standard, Übertrager-, Koppler- und Antennendesign, Schaltungstechnik, Übertragungsverfahren und Kopplung, Datenübertragung und Authentifizierung und mehr.
Im 2-x-2-mm-DNF-Gehäuse
NXP: Kleine Medium-Power-Transistoren
In einem 2 x 2 mm großen DFN-Gehäuse mit drei Pins hat NXP Semiconductors den Medium-Power-Transistor BC69PA untergebracht.
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Der Transistor eignet sich für den Einsatz überall dort, wo es auf eine möglichst geringe Leistungsaufnahme ankommt. Im DNF2020-3-Gehäuse spart er gegenüber konventionellen Transistoren im SOT89-Gehäusen 80 Prozent des Platzes auf der Leiterplatte und liefert einen Kollektorstrom bis 2 A. Auf einer vierlagigen Leiterplatte verträgt er Leistungen bis 1,1 W. Dieses Leistungslevel erreichen bisher nur Transistoren in größeren SMD-Gehäusen.
Die Transistoren sind nach AEC-Q101 qualifiziert und ab sofort zu einem Preis von 0,10 Dollar erhältlich.
